أخبار البيانات المزروعة ابق على اطلاع على آخر الأخبار المحلية والعالمية لحظة بلحظة، واقرأ المزيد عن السياسة والصحة والاقتصاد والرياضة والمزيد.
أكدت أحدث التسريبات على خطط سامسونج لدعم النموذج الرئيسي من Galaxy S25 بترقية في الذاكرة العشوائية وسعة التخزين.
قدمت سامسونج هاتف Galaxy S24 السابق بنموذج رئيسي مميز بذاكرة عشوائية 8 جيجا بايت رام وسعة تخزين 128 جيجا بايت، بينما تفوقت الشركات المنافسة في دفع ذاكرة وسعة تخزين أكبر في النماذج الرئيسية من الهواتف الذكية.
وتؤكد أحدث التفاصيل على أن سامسونج تستعد لدفع الترقية المرتقبة من المستخدمين في الجيل القادم من هواتف Galaxy S.
ومن المقرر وفقاً لهذه التفاصيل أن يأتي النموذج الرئيسي من هاتف S25 بذاكرة عشوائية 12 جيجا بايت رام وسعة تخزين 256 جيجا بايت.
ولقد أكدت التفاصيل التي رصدت في إختبارات آداء الهاتف على ترقية الذاكرة العشوائية بالفعل، كما كشفت التسريبات أيضاً عن دعم هاتف Galaxy S25 Ultra بذاكرة عشوائية 16 جيجا بايت رام في كافة نماذج الهاتف، ومن المتوقع أن يأتي هاتف Plus بنفس المواصفات أيضاً.
يذكر أن سامسونج تعقد مؤتمرها القادم في شهر يناير المقبل لإطلاق سلسلة هواتف Galaxy S25 التي تتضمن ثلاثة إصدارات تشمل الإصدار الرئيسي وGalaxy S25 Plus إلى جانب إصدار Ultra، على أن تقدم العملاق الكوري إصدار Slim في حدث مستقل لاحقاً.
المصدر
